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型号 | IRS21851STRPBF |
品牌 | Infineon Technologies |
驱动配置 | 高压侧 |
通道类型 | 单路 |
驱动器数 | 1 |
栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 电源 | 10 V ~ 20 V |
逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A |
输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
上升/下降时间(典型值) | 15ns,15ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
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